Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области.
Монография может быть полезна научным работникам, преподавателям высших технических учебных заведений, аспирантам соответствующих специальностей, а также инженерам и технологам, занимающимся разработкой светоизлучающих диодов и устройств на их основе.
Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области.
Монография может быть полезна научным работникам, преподавателям высших технических учебных заведений, аспирантам соответствующих специальностей, а также инженерам и технологам, занимающимся разработкой светоизлучающих диодов и устройств на их основе.
Изд-во Солон-пресс. 2023 г.
160 стр. мягкая обложка ISBN: 978-5-91359-516-4
1187012
цена: 31.56 EUR*
* Приобретая эту книгу вы получаете gutschein на последующие покупки в нашем магазине.
Если это ваш первый заказ, то размер gutschein за данную книги составит 1.58 EUR,
если же это ваш второй или далее заказ - 3.16 EUR.
